Silīcija substrāta vafeles

Silīcija substrāta vafeles

Šie augstākās kvalitātes silīcija substrātidarbojas kā elektronisko ierīču ražošanas pamatmateriāli, nodrošinot stabilu un īpaši{0}}tīru veidni mūsdienu pusvadītāju ekosistēmai. Mūsu vafeles, kas izstrādātas, izmantojot augstas-precizitātes Czochralski (CZ) vilkšanu un daudzpakāpju ķīmisko-planarizāciju (CMP), nodrošina neskartu virsmu atomu-slāņa nogulsnēšanai un kompleksu jonu implantācijai. Šī arhitektūras integritāte nodrošina, ka substrāts joprojām ir pasīvs, taču augstas veiktspējas{7}}resursdators gan aktīvajiem loģiskajiem vārtiem, gan pasīvām starpsavienojumu struktūrām.

Stabilas fizikālās un elektriskās īpašības:Mūsu substrātus regulē stingras radiālās pretestības un režģa orientācijas pielaides, kasatbalstīt dažādas apstrādes metodessākot no augstas{0}}temperatūras difūzijas līdz plazmas kodināšanai. Šī konsekvence nodrošina, ka substrāta-un-ierīces saskarne paliek stabila, samazinot parazītu ietekmi un nodrošinot paredzamu tranzistora veiktspēju visā 200 mm/300 mm plātņu virsmā.

Optimizēta termiskā{0}}mehāniskā neitralitāte:Šīs vafeles ir īpaši izstrādātas, lai izturētu intensīvo termisko budžetu, ko rada priekšējā-līnijas-(FEOL) apstrāde, un tām ir izcila izturība pret termisko spriegumu un režģa slīdēšanu. Šī strukturālā elastība novērš mikro- deformāciju ātrās termiskās atlaidināšanas (RTA) un CVD secību laikā, saglabājot ģeometrisko precizitāti, kas nepieciešama sub-mikronu fotolitogrāfijai un daudzslāņu 3D sakraušanai.

Izcila virsmas integritāte uzlabotai integrācijai:Atbilstoši visstingrākajiem SEMI standartiem, mūsu plāksnēm ir īpaši{0}}zema gaismas punkta defekti (LPD) un atomu{1}}mēroga virsmas raupjums. Šī ķīmiskā un fizikālā tīrība nodrošina stabilu fokusa-dziļumu- (DOF) un novērš modeļa izkropļojumus, ļaujot konsekventi izgatavot augsta-blīvuma CMOS, MEMS un Power IC arhitektūras bez substrāta-izraisīta ražas zuduma.

Populāri tagi: silīcija substrāta vafeles, Ķīnas silīcija substrāta vafeles ražotāji, piegādātāji, rūpnīca