Plānas silīcija vafele
Mūsu plānās silīcija vafeles ir izstrādātas lietojumiem, kuros nepieciešami īpaši plāni silīcija substrāti, kuru biezums ir no 80 μm līdz 200 μm. Šīs vafeles ir ideāli piemērotas elastīgai elektronikai, sensoriem un citām progresīvām tehnoloģijām, kurām nepieciešama gan elastība, gan augsta veiktspēja. Šo plākšņu plāns ļauj viegli izliekties, neapdraudot struktūras integritāti, padarot tās piemērotas inovatīviem lietojumiem pētniecībā un progresīvā ražošanā.
- Ātra piegāde
- Kvalitātes nodrošināšana
- 24/7 klientu apkalpošana
Produkta ievads
Produkta pārskats
Mūsu plānās silīcija vafeles ir izstrādātas lietojumiem, kuros nepieciešami īpaši plāni silīcija substrāti, kuru biezums ir no 80 μm līdz 200 μm. Šīs vafeles ir ideāli piemērotas elastīgai elektronikai, sensoriem un citām progresīvām tehnoloģijām, kurām nepieciešama gan elastība, gan augsta veiktspēja. Šo plākšņu plāns ļauj viegli izliekties, neapdraudot struktūras integritāti, padarot tās piemērotas inovatīviem lietojumiem pētniecībā un progresīvā ražošanā.
Galvenās iezīmes
|
Īpaši plāns biezums |
Pieejams no 80 μm līdz 200 μm, pietiekami plāns, lai nodrošinātu elastību un locīšanu |
|
Orientācija uz kristāliem |
<100>, <111>, <110> |
|
Pieejamie diametri |
2 collas, 4 collas, 6 collas, 8 collas, 12 collas |
|
Kvalitātes pakāpes |
Prime / Test / Dummy |
|
Augšanas metodes |
CZ (Czochralski)/FZ (Float Zone) |
|
Dopantu veidi |
P tipa (bors), N tipa (fosfors, arsēns, antimons) vai neleģēts |
|
Virsmas apdare |
P/E (pulēts/iegravēts), P/P (pulēts/pulēts) |
|
Kopējā biezuma variācija (TTV) |
Standarta < 10 μm; Uzlabots < 5 μm |
Populāri tagi: plānas silīcija vafeles, Ķīnas plāno silīcija vafeļu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca
