Tīra silīcija vafele
Mūsu tīrā silīcija vafeles ir ražotas ar augstas tīrības pakāpes silīciju, padarot tās ideāli piemērotas pusvadītāju lietojumiem, kam nepieciešami minimāli piemaisījumi. Šīs vafeles nodrošina stabilu un uzticamu pamatu dažādiem elektroniskiem komponentiem, un tās bieži izmanto pētniecībā un precīzās ražošanas vidēs.
- Ātra piegāde
- Kvalitātes nodrošināšana
- 24/7 klientu apkalpošana
Produkta ievads
Produkta pārskats
Mūsu tīrā silīcija vafeles ir ražotas ar augstas tīrības pakāpes silīciju, padarot tās ideāli piemērotas pusvadītāju lietojumiem, kam nepieciešami minimāli piemaisījumi. Šīs vafeles nodrošina stabilu un uzticamu pamatu dažādiem elektroniskiem komponentiem, un tās bieži izmanto pētniecībā un precīzās ražošanas vidēs.
Galvenās iezīmes
|
Orientācija uz kristāliem |
<100>, <111>, <110>(pieejamas pielāgotas orientācijas) |
|
Pieejamie diametri |
2 collas, 4 collas, 6 collas, 8 collas, 12 collas |
|
Kvalitātes pakāpes |
Prime / Test / Dummy |
|
Augšanas metodes |
CZ (Czochralski)/FZ (Float Zone) |
|
Biezuma opcijas |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, pieejams pielāgots biezums |
|
Pretestība |
Parasti augstāks, salīdzinot ar leģētām vafelēm (pieejamas dažādos diapazonos) |
|
Virsmas apdare |
P/E (pulēts/iegravēts), P/P (pulēts/pulēts), E/E (izgravēts/iegravēts) |
|
Kopējā biezuma variācija (TTV) |
Standarta < 10 μm; Uzlabots < 5 μm |
|
Bow/Warp |
Standarta < 40 μm; Uzlabots < 20 μm |
Populāri tagi: tīra silīcija vafele, Ķīnas tīra silīcija vafeļu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca
