lvValoda
Mājas / Produkti / Silīcija vafele

Silīcija vafele

Mājas 1234567 Pēdējā lappuse 1/18

Uzņēmuma profils

 

 

Uzņēmums Zhonggui Semiconductor, kas dibināts 2009. gadā, ir izaudzis no savām saknēm Yangzhou Zhongding Semiconductor Company, lai kļūtu par pusvadītāju nozares līderi. Izmantojot Ķīnas Zinātņu akadēmijas Nanos institūta tehniskos jauninājumus, mēs specializējamies pusvadītāju silīcija plātņu ražošanā un tehnoloģiskajā attīstībā. Mūsu centība ir attīstījusi izcilu tehnisko komandu, nodrošinot mūsu nozares līdera pozīciju.

 

Kāpēc izvēlēties mūs

Ražošanas iekārtas

Mēs pārvaldām 100. klases tīrās telpas iekārtu, kas aprīkota ar griešanas mašīnām, slīpmašīnām, slīpmašīnām, ķīmiskās mehāniskās pulēšanas mašīnām, griešanas mašīnām un citām iekārtām. Mēs cenšamies sniegt saviem klientiem profesionālus, pielāgotus pakalpojumus.

Profesionāla komanda

Mums ir globāla sasniedzamība, jo mūsu produkti tiek pārdoti vairākās valstīs, tostarp ASV, Krievijā, Apvienotajā Karalistē, Francijā utt. Mēs esam apņēmušies sadarboties ar saviem klientiem, lai veicinātu savstarpēju attīstību un panāktu abpusēji izdevīgas partnerības.

Sertifikāts

Izmantojot modernu aprīkojumu un spēcīgu ISO 9001 kvalitātes vadības sistēmu, mēs saviem klientiem nodrošinām augstas-kvalitatīvus, pielāgotus risinājumus.

Mūsu rūpnīca

Silicore Technologies Ltd., kas atrodas Jandžou Tjanšaņas pilsētas industriālajā zonā, ir tiešās izcelsmes rūpnīca, kas koncentrējas uz pielāgotu silīcija{1}}produktu piegādi.

 

 

Kas ir silīcija vafele?
 

Silīcija vafele ir materiāls, ko izmanto pusvadītāju ražošanai, ko var atrast visu veidu elektroniskajās ierīcēs, kas uzlabo cilvēku dzīvi. Silīcijs ieņem otro vietu kā visizplatītākais elements Visumā; to galvenokārt izmanto kā pusvadītāju tehnoloģiju un elektronikas sektorā.
Lielākajai daļai cilvēku dzīvē ir bijusi iespēja sastapties ar īstu silīcija plāksni. Šis īpaši-plakanais disks ir izsmalcināts līdz spoguļa{2}}virsmai. Turklāt tas ir izgatavots arī no smalkiem virsmas nelīdzenumiem, kas padara to par plakanāko objektu pasaulē.
Tas ir arī ārkārtīgi tīrs, bez piemaisījumiem un mikro{0}}daļiņām, kas ir būtiskas, lai tas būtu ideāls mūsdienu pusvadītāju substrāta materiāls.

 

Silīcija vafeļu priekšrocības

Viegli ražot
Plānplēves saules baterijas ir viegli izgatavojamas, jo salīdzinājumā ar parastajām saules baterijām tiek izmantotas bagātīgas un netoksiskas izejvielas. Turklāt to var izmantot daudzos lietojumos, pateicoties tās plānās -plēves tehnoloģijai. Šīs šūnas tiek ražotas, pievienojot substrātam plānu pusvadītāju materiāla slāni, izmantojot metodi, ko sauc par ķīmisko tvaiku pārklāšanu. Uzklāšanai izmantotajiem materiāliem ir jābūt spēcīgiem, taču viegliem absorbētājiem, lai nodrošinātu liela apjoma ražošanu.

Videi draudzīgs
Pareizi izstrādātu plānslāņa silīcija saules bateriju ražošanas process nav piesārņojošs, kas nozīmē, ka tas ir videi draudzīgs.

Zems enerģijas atmaksāšanās laiks
Plānas plēves saules bateriju ražošanai nepieciešams tikai ļoti zems enerģijas patēriņš, kas ļauj atjaunot izlietoto enerģiju mazāk nekā gada laikā. Lai gan silīcija tehnoloģijas, kuru pamatā ir plāksnītes-, aizņem divreiz vairāk laika, kas nepieciešams plānslāņa saules enerģijas tehnoloģiju papildināšanai.

Temperatūras atkarība ir zema
Salīdzinājumā ar plānplēves saules baterijām, kas izgatavotas no plānām silīcija plāksnītēm, ir ļoti zema -temperatūras atkarība no PV veiktspējas. Plāno kārtiņu saules bateriju izgatavošanas laikā izmantotais temperatūras diapazons ir arī zemāks salīdzinājumā ar citām saules enerģijas tehnoloģijām, kas padara to izdevīgu plānu saules bateriju nogulsnēšanai uz plāniem polimēru pamatnēm.

 

 
 
Silīcija vafeļu tips
Thermal Oxide Silicon Wafer

Neleģētas silīcija vafeles

Ja vēlaties atrast silīciju tā tīrā kristāliskā formā, ieteicams apskatīt neleģēto silīcija plāksni. Šis vafeles veids tiek dēvēts arī par raksturīgo silīcija plāksni, un tas ir ideāls pusvadītājs.

 

Double Side Polished Silicon Wafer

Viena kristāla vafeles

Šīs vafeles ir izgatavotas no viena silīcija kristāla. Tie ir visizplatītākais silīcija plāksnīšu veids, un tos izmanto dažādiem lietojumiem, tostarp integrālajām shēmām (IC), saules baterijām un gaismas diodēm (LED).

Polished Silicon Wafer

Polikristāliskās vafeles

Šīs vafeles ir izgatavotas no vairākiem silīcija kristāliem, kas ir savienoti kopā. Tās ir lētākas nekā monokristāla vafeles, taču tās ir arī mazāk vēlamas dažiem lietojumiem, jo ​​tām var būt defekti, kas var ietekmēt ierīces veiktspēju.

Gold Coated Silicon Wafer

Amorfās silīcija vafeles

Šīs vafeles ir izgatavotas no ne{0}}kristāliska silīcija formas. Tās ir lētākas nekā viena kristāla un polikristāliskās plāksnes, taču tās ir arī mazāk vēlamas lielākajai daļai lietojumu, jo tām ir zemāka elektrovadītspēja un tās nevar izmantot IC izgatavošanai.

 

Kas ir silīcija vafeļu materiāls?
 

Kā pusvadītāju ražošanas mugurkauls silīcija vafeļu materiāls nodrošina pamatu integrālo shēmu veidošanai. Silīcija vafeles ir plānas šķēles, kas izgrieztas no lieliem monokristāla silīcija lietņiem, kuru augstums ir līdz 2 metriem un platums ir 30 cm.

Pusvadītāji

Tā četrvērtīgā atomu konfigurācija nodrošina precīzu dopingu, lai izveidotu n-tipa un p-tipa reģionus tranzistoru ierīču veidošanai.

Bagātīgs

Silīcijs ir viegli pieejams kā otrs visbiežāk sastopamais elements Zemes garozā - galvenokārt silīcija dioksīda vai silīcija dioksīda veidā.

Izgatavojams

Gadu desmitiem ilga pieredze attīrīšanā, kristālu audzēšanā un vafeļu ražošanā masveidā.

Mērogojams

Silīcija plāksnīšu diametrs ir mainīts no 1 collas līdz 8 collām (200 mm) un tagad 12 collām (300 mm), ļaujot uz vienu plāksnīti izveidot vairāk veidņu.

 

 
Silīcija vafeles pielietojums
 
01/

Integrētās shēmas (IC)
Silīcija vafeles ir audekls integrālo shēmu izveidei, kas ir elektronisko ierīču mugurkauls. Silīcija spēja vadīt elektrību un nodrošināt stabilu platformu mikroelektronikas komponentiem ir veicinājusi skaitļošanas, sakaru un digitālo tehnoloģiju sasniegumus.

02/

Mikroelektronika un nanotehnoloģijas
Silīcija vafeles ir neaizstājamas mikroelektronikas un nanotehnoloģiju jomā, kur ir būtiska precīza ķēžu rakstīšana mikroskopiskos mērogos. Elektronisko komponentu miniaturizācija, ko veicina silīcija plāksnītes, ir novedusi pie arvien jaudīgāku un kompaktāku ierīču izstrādes.

03/

Tranzistori un pusvadītāju ierīces
Tranzistoru, diožu un citu pusvadītāju ierīču ražošana lielā mērā ir atkarīga no silīcija plāksnēm. Šīs ierīces savukārt veido elektronisko sistēmu pamatelementus, kas nodrošina signālu apstrādi, pastiprināšanu un vadības funkcijas daudzās lietojumprogrammās.

04/

Saules šūnas
Silīcija plāksnēm ir galvenā loma saules enerģijas nozarē. Kā fotoelektrisko elementu substrāts silīcija vafeles pārvērš saules gaismu elektrībā, veicinot atjaunojamās enerģijas risinājumu izplatību.

 

Silīcija vafeles process
 

Lietņu izaugsme
Silīcija stieņa audzēšana var ilgt no vienas nedēļas līdz vienam mēnesim atkarībā no tādiem faktoriem kā izmērs, kvalitāte un specifikācijas. Vairāk nekā 75% silīcija vafeļu aug, izmantojot Czochralski (CZ) metodi, kurā jauna polikristāliskā silīcija gabali tiek ievietoti kvarca tīģelī kopā ar nelielu daudzumu elementu piedevu. Dopantu pievienošana nodrošina elektriskās īpašības, kas nepieciešamas stieņa audzēšanai.

 

Sagriešana
Kad lietnis ir izgājis pilnu augšanas procesu, tas tiek samalts līdz izmēram, kas ir nedaudz lielāks par galīgās silīcija vafeles diametra mērķa izmēru. Pēc vairākām pārbaudēm lietnis tiek sagriezts, izmantojot dimanta malu zāģi. Dimanta malu zāģis tiek izmantots ne tikai, lai sagrieztu vafeles, lai tās būtu nedaudz biezākas par mērķa izmēru, bet arī lai palīdzētu samazināt silīcija vafeles bojājumus.

 

Lapošana
Pēc tam, kad vafele ir sagriezta, tā kļūst pāri. Pārklāšanas process no vafeles noņem zāģa pēdas un virsmas defektus. Tas arī atšķaida vafeles, mazinot griešanas procesā uzkrāto stresu.

 

Tīrīšana
Pēc pārklāšanas silīcija vafeles tiek tīrītas un iegravētas. Nātrija hidroksīds vai etiķskābe un slāpekļskābe mazina visas mikroskopiskās plaisas un/vai virsmas bojājumus, kas var būt radušies pārklāšanas laikā.

 

Pulēšana
Pēdējais un, iespējams, vissvarīgākais solis ir silīcija vafeles pulēšana. Pulēšanas process notiek tīrā telpā, kur darbinieki valkā tīras telpas uzvalkus, kas nosedz visu ķermeni. Pūš arī ventilators, kas aizpūš visas mazās daļiņas, kas varētu būt sakrājušās pirms ieiešanas tīrajā telpā.

 

Soli{0}}pa-pamācība silīcija vafeļu griešanai
Fz Silicon Wafer
Single Side Polished Silicon Wafer
100mm Silicon Wafer
Polished Silicon Wafer

Silīcija plātņu griešana ir ļoti svarīgs process dažādās nozarēs, tostarp elektronikā, pusvadītāju un saules paneļu ražošanā. Tas prasa precizitāti un rūpīgu izpildi, lai nodrošinātu vēlamos griezuma izmērus un kvalitāti.

1. darbība. Silīcija vafeles tīrīšana
Pirms silīcija vafeles griešanas ir svarīgi to rūpīgi notīrīt. Tīrība ir ļoti svarīga, jo jebkādi piesārņotāji var ietekmēt griezuma kvalitāti.

2. darbība: griešanas līnijas atzīmēšana
Kad silīcija vafele ir tīra, nākamais solis ir precīzi atzīmēt griešanas līniju. Pirms griešanas līnijas marķēšanas ir ļoti svarīgi noteikt vēlamos izmērus.

3. darbība: griešanas šķīduma uzklāšana
Pēc griešanas līnijas marķēšanas ir svarīgi uzklāt griešanas šķīdumu, lai atvieglotu griešanas procesu. Griešanas šķīdums darbojas kā smērviela un dzesēšanas šķidrums, samazinot berzi un siltumu griešanas laikā. Piemērota griešanas risinājuma izvēle ir atkarīga no silīcija vafeles veida un izmantotās griešanas metodes.

4. darbība: griešanas mašīnas izmantošana
Tagad ir pienācis laiks izmantot griešanas mašīnu, lai grieztu silīcija vafeles pa iezīmēto griešanas līniju. Droša griešanas mašīnas darbība ir ļoti svarīga, lai izvairītos no negadījumiem un nodrošinātu precīzus griezumus.

5. darbība: sagrieztās silīcija vafeles pārbaude
Pēc silīcija vafeles sagriešanas ir svarīgi pārbaudīt, vai tajā nav defektu vai nelīdzenumu. Defektu pārbaude nodrošina griezuma kvalitāti un palīdz noteikt visas problēmas, kas jārisina. Šeit ir daži pārbaudes punkti:
Izmantojiet mikroskopu vai palielināmo stiklu, lai pārbaudītu, vai griezuma malā nav plaisu, šķembu vai raupjuma.
Izmēriet sagrieztās silīcija vafeles izmērus, lai nodrošinātu, ka tie atbilst vēlamajām specifikācijām.

 

Kā kopt silīcija vafeles
 

Viena no lielākajām problēmām, ar ko saskaras pusvadītāju ražošanas nozare, ir silīcija plātņu virsmas piesārņojums. Visbiežāk silīcija vafeles kļūst piesārņotas, vienkārši pakļaujot gaisu, kas satur lielu organisko daļiņu piesārņotāju. Kad šie piesārņotāji nokļūst vafelē, tos nav viegli noņemt, jo vafele ir trausla. Tāpēc ir īpašs veids, kā ražotāji tīra vafeles.

Pirmais solis: tīrīšana ar šķīdinātāju

Šķīdinātājus izmanto, lai veiksmīgi noņemtu eļļas un organiskos atlikumus no silīcija vafeļu virsmas. Kamēr šķīdinātājs noņem piesārņotājus, tie atstāj arī savas atliekas uz vafeles virsmas. Tādēļ tiek izmantota divu-šķīdinātāju metode, lai nodrošinātu, ka vafele ir pēc iespējas tīrāka.

Otrais solis: RCA-1 tīrīšana

Jebkurš atlikums, kas paliek no šķīdinātāja, tiek notīrīts ar RCA tīrīšanu. RCA tīrs oksidē silīciju, tādējādi nodrošinot plānu oksīda aizsargkārtu vafeles virsmai.

Trešais solis: fluorūdeņražskābes iegremdēšana

Pēdējais posms ir fluorūdeņražskābes iegremdēšana. HF iegremdēšanu izmanto, lai noņemtu silīcija dioksīdu no silīcija vafeles virsmas. HF ir ļoti bīstama ķīmiska viela, tāpēc ir svarīgi, lai šī darbība tiktu veikta, valkājot aizsargaprīkojumu, piemēram, smagus cimdus un brilles.

 

Ar ko leģētas silīcija vafeles atšķiras no citām?

 

 

Neparastu formu vafeles tiek veidotas, izmantojot leģētu silīciju. Šīs vafeles tiek izgatavotas, pārklājot silīcija vafeles ar oksīdu apakšā un plānu alumīnija oksīda kārtu, ja nedaudz silīcija tiek karsētas apmēram piecas minūtes 900 grādu temperatūrā skābekļa -bagātā vidē.

Silīcija ražošanas procesā radušos defektu dēļ silīciju var izmantot kā apkures avotu. Leģēto silīcija plāksnīšu īpatnība ir tāda, ka tās satur vienu vai vairākus "leģējošos atomus". Ir pievienoti ūdeņraža vai bora atomi, lai uzlabotu alumīnija oksīda slāņa īpašības, kas ir uzklāts virs silīcija substrāta.

Šīs vielas ir pusvadītāji un var darboties kā izolatori vai vadītāji, kad caur tām iet elektrība. Piemēram, gaismas detektori un saules fotoelementi ir izgatavoti no leģētiem pusvadītājiem, kas implantēti ar silīcija dioksīda plāksnēm. Šie materiāli papildus saules baterijām rada arī leģētas silīcija vafeles dažādos lietojumos.

 

Mūsu rūpnīca

 

Mūsu specializācija pēc pasūtījuma izgatavotās -silīcija plātnēs, sēklu kristālos, silīcija mērķos un starplikās ļauj mums apmierināt dažādas vajadzības pusvadītāju un saules enerģijas nozarēs. Mūsu apņemšanās sniegt personalizētus pakalpojumus ļauj mūsu klientiem precīzi un efektīvi sasniegt konkrētos projekta mērķus.

 

productcate-637-466productcate-637-466

 

FAQ

 

J: Kam tiek izmantotas silīcija vafeles?

A. Elektronikā vafele (saukta arī par šķēli vai substrātu) ir plāna pusvadītāja šķēle, piemēram, kristālisks silīcijs (c-Si, silīcijs), ko izmanto integrālo shēmu ražošanai un fotoelementu konstrukcijā saules bateriju ražošanai.

J: Kāda ir atšķirība starp silīcija plāksni un mikroshēmu?

A: Lai gan mikroshēmas un vafeles elektronikā parasti tiek lietotas savstarpēji aizstājamas, starp tām ir dažas ievērojamas atšķirības. Viena no galvenajām atšķirībām ir tā, ka mikroshēma vai integrālā shēma ir elektronikas komplekts, savukārt vafele ir plāna silīcija šķēle, ko izmanto integrālo shēmu veidošanai.

J: Vai joprojām tiek izmantotas silīcija vafeles?

A: Silīcija plāksnes ir galvenais celtniecības materiāls lielākajai daļai pusvadītāju, kas ir visu elektronisko ierīču būtiska sastāvdaļa. Augsti izstrādātie plānie diski tiek ražoti ar diametru līdz 12 collām un kalpo kā substrāta materiāls, uz kura tiek izgatavoti vairums pusvadītāju.

J: Kāda ir atšķirība starp silīciju un silīcija plāksni?

A: Pretēji tam, ko jūs varētu domāt, silīcijs un silikons nav līdzīgi. Jebkurš silīcija plāksnīšu piegādātājs var apliecināt, ka silīcijs ir dabā sastopams ķīmiskais elements. Tāpat hermētiķu, smērvielu un adhezīvu ražotāji jums pateiks, ka silikons ir sintētisks materiāls.

J: Vai varat pieskarties silīcija plāksnei?

A: Silīcija plāksne viegli saplīst, ja netiek pareizi apstrādāta. Bet, izņemot to, tas ir ciets un izturīgs. Jums nevajadzētu pieskarties tiem arī ar kailām rokām, jo ​​nātrijs jūsu sviedros ietekmēs to kvalitāti, padarot tos nederīgus.

J: Kas notiek ar silīcija vafeļu atkritumiem?

A. Pēc tam silīcija dūņas tiek iezemētas sīkās daļiņās un pakļautas augstas -temperatūras SHS reakcijai, lai izveidotu keramikas materiālu, ko sauc par SiAlON. Zemā slāpekļa spiediena dēļ XRD dati nepārprotami parāda, ka tikai 50% silīcija dūņu var pārveidot par SiAlON.

J: No kurienes nāk silīcijs vafelēm?

A: Silīciju iegūst no pludmales smiltīm, kas atrodamas vairākās senatnīgās pludmalēs. Audzējot stieņu, var pievienot dopantus, lai kontrolētu elektrību gatavajā produktā, parasti pusvadītājā.

J: Vai silīcija plāksni var izmantot atkārtoti?

A. Runājot par īpašībām, vairāki pētnieki apgalvo, ka reģenerētajām silīcija plāksnītēm ir identiskas īpašības (gan fizikālajām, gan ķīmiskajām) šīm neapstrādātajām -komerciālajām plāksnēm, un tās var arī atkārtoti izmantot jaunu šūnu ražošanā vai pat citos lietojumos [8-10].

J: Kā izskatās silīcija vafele?

A: Dažiem no mums ir iespēja ikdienas dzīvē sastapties ar īstu silīcija plāksni. Šis īpaši-plakanais disks ir noslīpēts līdz spogulim-līdzīgai virsmai un pēc iespējas brīvs no sīkiem virsmas nelīdzenumiem, padarot to par plakanāko objektu pasaulē.

J: Kāds ir silīcija vafeles kalpošanas laiks?

A: Dzīves ilgums ir diezgan neparedzams un grūti kontrolējams. Parastos silīcija saules bateriju materiālos tas var atšķirties par vairākām kārtām, no aptuveni 1 μs līdz 1 ms. Visaugstākā jebkad izmērītā vērtība ir 32 ms neleģētam silīcijam un zemākā 10–9 s stipri leģētam silīcijam.

J: Kas ražo silīcija vafeles saules paneļiem?

A: Targray ir vadošais starptautisks saules bateriju piegādātājs PV moduļu ražotājiem. Mēs tirgojam pilnu uzticamu, augstas kvalitātes-saules bateriju klāstu, lai apmierinātu mūsu klientu ražošanas prasības.

J: Kā mājās pagatavot silīcija vafeles?

A: Tīra silīcija vafele ir izgatavota no ārkārtīgi tīra izejmateriāla. Process sākas ar izolācijas materiāla noņemšanu no lielas kristāla struktūras. Pēc tam šo materiālu karsē, veidojot šķidrumu. Pēc tam cietu "sēklu kristālu" nolaiž šķidrumā un lēnām izvelk.

J: Cik ilgs laiks nepieciešams, lai audzētu silīcija vafeles?

A: Pirms var uzbūvēt pusvadītāju, silīcijam ir jāpārvēršas par plāksni. Tas sākas ar silīcija lietņa augšanu. Silīcija stieņa audzēšana var ilgt no vienas nedēļas līdz vienam mēnesim atkarībā no daudziem faktoriem, tostarp izmēra, kvalitātes un specifikācijas.

J: Kāda ir atšķirība starp silīciju un silīcija plāksni?

A: Pretēji tam, ko jūs varētu domāt, silīcijs un silikons nav līdzīgi. Jebkurš silīcija plāksnīšu piegādātājs var apliecināt, ka silīcijs ir dabā sastopams ķīmiskais elements. Tāpat hermētiķu, smērvielu un adhezīvu ražotāji jums pateiks, ka silikons ir sintētisks materiāls.

J: Kāpēc silīcija vafeles ir tik krāsainas?

A: Pusvadītāju ražošanai vienmēr tiek dota priekšroka IC uz lielas silīcija plāksnes, lai prezentētu savus jaunos mikroshēmu produktus. Varavīksnes krāsa uz metāla un silīcija dioksīda rakstiem rodas no atstarotās gaismas difrakcijas un traucējumiem, kas padara datora renderēšanu sarežģītu.

J: Cik trauslas ir silīcija vafeles?

A: Silīcija plāksne viegli saplīst, ja netiek pareizi apstrādāta. Bet, izņemot to, tas ir ciets un izturīgs. Jums nevajadzētu pieskarties tiem arī ar kailām rokām, jo ​​nātrijs jūsu sviedros ietekmēs to kvalitāti, padarot tos nederīgus.

J: Kā silīcija vafeles tiek pārvērstas mikroshēmās?

A: Mikroshēmas tiek izgatavotas slānis{0}}pa-slānim uz silīcija plāksnītes, izmantojot procesu, ko sauc par fotolitogrāfiju. Lai izveidotu skaidu slāņus, tiek izmantota gaisma, gāzes un ķīmiskas vielas. Pēc tam vafele tiek bombardēta ar atomiem, lai pielāgotu tās vadītspēju. Pēc tam alumīnija foliju izmanto, lai vafelē izveidotu vadošus ceļus.

J: Cik daudz enerģijas nepieciešams silīcija vafeles izgatavošanai?

A: Darbos [11, 12] tiek lēsts, ka, lai ražotu 1 cm 2 silīcija plāksnītes, ir vajadzīgas dažādas ķīmiskas vielas, no 5 līdz 29 litriem (L) augstas -tīrības ūdens, no 445 līdz 924 g/cm 2 elementārajām gāzēm (piemēram, skābeklis, slāpeklis un argons) un vidējais enerģijas patēriņš {5 cm .{13}/1.

J: Kāda ir atšķirība starp stikla un silīcija plāksnēm?

A: Lielākajai daļai stikla vafeļu maksimālā darba temperatūra ir daudz zemāka nekā silīcijam, kas rada izaicinājumus augstas temperatūras procesiem. Silīcija vafeles var droši darboties temperatūrā, kas pārsniedz 1000 grādus un līdz aptuveni 1350 grādiem.

J: Ko es varu darīt ar silīcija plāksnīti?

A: Silīcija vafeles tiek izmantotas tehnoloģiju nozarē to unikālo elektrisko un termisko īpašību dēļ. Šīs īpašības apvienojumā ar silīcija augsto tīrību padara to par ideālu materiālu integrālo shēmu un citu pusvadītāju ražošanai, kā arī saules baterijām.

Kā viens no profesionālākajiem silīcija plātņu ražotājiem un piegādātājiem Ķīnā, mūs raksturo kvalitatīvi produkti un konkurētspējīga cena. Lūdzu, esiet drošs, ka no mūsu rūpnīcas iegādāsieties lētas silīcija vafeles. Sazinieties ar mums, lai saņemtu pielāgotu pakalpojumu un OEM pakalpojumu.

(0/10)

clearall