Kailas silīcija vafeles

Kailas silīcija vafeles

Mūsu augstas-tīrības pakāpes silīcija vafeles irtiek piegādāts bez papildu pārklājumiem vai apstrādes slāņiem, piedāvājot "tukšu audeklu" progresīvai mikrofabricēšanai. Šie substrāti ir rūpīgi pulēti līdz spoguļa apdarei, izmantojot daudzpakāpju ķīmisko-planarizāciju (CMP), un šie substrāti nodrošina bezkompromisu kristālisku virsmu. Šis senatnīgais stāvoklis ir būtisks, lai saglabātu turpmāko augšanas fāžu integritāti, padarot tās maksimāli efektīvaselastīgi sākuma substrāti dažādiem pusvadītāju, MEMS un pētniecības lietojumiem.

Augstas-virsmas precizitāte daudzveidīgai pielāgošanai:Šīs vafeles ar sub-angstrēmisku virsmas raupjumu atbalsta visjutīgākās plānās-kārtiņas nogulsnēšanas metodes, tostarp ALD (Atomic Layer Deposition) un Molecular Beam Epitaxy (MBE). Šī virsmas pilnība nodrošina, ka saskarnē starp neapbruņotu silīciju un pirmo apstrādāto slāni nav iesprostoti lādiņi vai metāliski piemaisījumi, tādējādi veicinot ierīces izcilu veiktspēju.

Termiskā{0}}mehāniskā stabilitāte iteratīvajiem pētījumiem:Mūsu plikajām plāksnēm, kas īpaši izstrādātas, lai izdzīvotu vairākus augstas{0}temperatūras ciklus bez režģa atslābuma, ir izcila termiskā noturība. Neatkarīgi no tā, vai to izmanto augsta-vakuuma vidē vai intensīvā jonu implantācijā, materiāls saglabā savu strukturālo orientāciju un ģeometrisko līdzenumu, nodrošinotstabilas fizikālās un elektriskās īpašībasvisā pētniecības un attīstības dzīves ciklā.

Optimizēta precīzai integrācijai:Ievērojot stingrus SEMI standartus attiecībā uz biezuma viendabīgumu un malu profilēšanu, šīs vafeles samazina mehāniskos mainīgos lielumus tīrajā telpā. Precīza radiālās pretestības un kristāla orientācijas kontrole ļauj pētniekiem un inženieriem prognozēt nesēju transportēšanu ar augstu precizitāti, padarot tos par zelta standartujutīgas elektroniskās lietojumprogrammasun prototipa validācija.

Populāri tagi: tukšas silīcija vafeles, Ķīnas tukšo silīcija vafeles ražotāji, piegādātāji, rūpnīca