Silīcija ierīces substrāts

Silīcija ierīces substrāts

Šī silīcija ierīču substrātu sērija ir rūpīgi izstrādāta, lai kalpotu kā augstas{0}}integritātes bāzes līnijaprecīza ierīces veidošana. Atbalsta visu industriālo spektru no2 collu (50 mm) līdz 12 collu (300 mm), šie substrāti ir veidoti tā, lai darbotos kā senatnīgs saimniekdators sub-mikronu litogrāfijai un uzlabotai jonu implantācijai, nodrošinot, ka katrs arhitektūras slānis tiek saskaņots ar absolūtu precizitāti.

Stabilizēta nesēja dinamika:Materiāls ir optimizēts piegādeistabila elektriskā darbība, kas ievērojami uzlabo ierīces konsekvenci plašajos ražošanas procesos. Ieviešot stingru intersticiālā skābekļa un radiālās piedevas viendabīguma kontroli, substrāts samazina parazitāro kapacitāti un noplūdi, nodrošinot augstu -precizitātes signāla integritātiAnalogā IC un RF-IClietojumprogrammas.

Kontrolētas vides uzticamība:Īpaši izstrādāts, laiuzticami darboties kontrolētā vidē, substrāts saglabā savu termomehānisko noturību mūsdienu CMOS un BCD procesu intensīvajos termiskajos budžetos. Šī strukturālā stabilitāte novērš režģa slīdēšanu un deformāciju, nodrošinot plašāku procesa logu ātrās termiskās atlaidināšanas (RTA) laikā.

Bezšuvju ražotāja integrācija:Šie substrātivienmērīgi integrēties standarta ražošanas plūsmās, kurā ir optimizēta malu profilēšana un sub{0}}mikronu kopējā biezuma variācija (TTV), kas nodrošina saderību ar ātrdarbīgu{1}}automātisko apstrādi. Šī daudzpusība padara tospiemērots dažādām elektroniskām ierīcēm, no specializētiem MEMS sensoriem līdz augsta{0}}blīvuma jaudas-MOSFET, kas nodrošina ilgtermiņa uzticamību automobiļu un rūpniecības{3}}nozarēs.

Populāri tagi: silīcija ierīces substrāts, Ķīnas silīcija ierīces substrāta ražotāji, piegādātāji, rūpnīca