Silīcija apstrādes vafele

Silīcija apstrādes vafele

Šī silīcija apstrādes vafeļu sērija ir rūpīgi izstrādātaparedzēts sarežģītiem ražošanas posmiem, kas darbojas kā elastīgs resursdators visprasīgākajām -priekšgala--līnijas (FEOL) sekvencēm. Atbalstot visu industriālo spektru no2 collu (50 mm) līdz 12 collu (300 mm), šie substrāti ir veidoti tā, lai saglabātu absolūtu režģa stabilitāti un virsmas līdzenumu, izmantojot mūsdienu ierīču mērogošanas iteratīvos ciklus.

Izcila termiskā noturība:Vafele ir izstrādāta, laisaglabāt integritāti augstas{0}}temperatūras procesu laikā, piemēram, dziļa{0}}urbuma difūzija un ātrā termiskā atkausēšana (RTA). Optimizējot intersticiālo skābekļa koncentrāciju un ieviešot uzlabotus termiskā sprieguma-reljefa protokolus, substrāts novērš režģa slīdēšanu un mikro- deformāciju, nodrošinot sub-mikronu funkciju izdzīvošanu intensīva termiskā budžeta apstākļos.

Ienesīgums{0}}nodrošināts veiktspēja: Vienveidīgas īpašībasradiālajā pretestībā un virsmas morfoloģijāuzlabot ražas likmesnodrošinot paredzamu reakciju uz jonu implantāciju un plānās{0}}kārtiņas nogulsnēšanos. Šī viendabīgums nodrošina, ka elektriskie parametri paliek konsekventi visā vafeles virsmā, līdz minimumam samazinot veiktspējas "malas-no-plāksnītes" pasliktināšanos augsta-blīvuma gadījumā.Power IC un Analogierīces.

Precīzas rakstīšanas atbalsts:Thevafele atbalsta precīzu kodināšanu un litogrāfijupiedāvājot sub{0}}mikronu kopējā biezuma variāciju (TTV) un izcilu lokālo līdzenumu. Šī ģeometriskā precizitāte nodrošina stabilu-fokusa-dziļumu (DOF) augstas-izšķirtspējas skeneriem, ļaujot konsekventi veidot sarežģītas vārtu struktūras un augstas -malu-attiecības. Ievērojot stingrus SEMI standartus, tasatbilst mūsdienu pusvadītāju līniju prasībāmautomatizētai apstrādei un lielai{0}}apjoma caurlaidībai.

Populāri tagi: silīcija apstrādes vafeļu, Ķīnas silīcija apstrādes vafeļu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca