Kas ir silīcija karbīda substrāts?

Substrāts attiecas uz kristāla griešanu, slīpēšanu un pulēšanu noteiktā kristalogrāfiskā virzienā, lai iegūtu tīru vienu plāksni ar īpašām kristāla plaknēm un atbilstošām elektriskām, optiskām un mehāniskām īpašībām epitaksiālo slāņu audzēšanai. Silīcija karbīda substrāts ir jaunizstrādātā platjoslas pusvadītāja pamatmateriāls. Ar to izgatavotajām ierīcēm ir augstas temperatūras pretestības, augsta sprieguma pretestības, augstas frekvences, lielas jaudas, starojuma pretestības utt. īpašības, un tām ir ātras pārslēgšanas ātruma un augstas efektivitātes priekšrocības. Ievērojami samazināt produkta enerģijas patēriņu, uzlabot enerģijas pārveidošanas efektivitāti un samazināt produkta izmēru.