Silīcija vafeļu vienība

Silīcija vafeļu vienība

Šī pusvadītāju -pakāpes silīcija vienība ir rūpīgi izstrādāta, lai tā kalpotu kā augstas-integritātes substrāts sarežģītai elektronikas ražošanai. Pilna diametra spektra atbalstīšana no2 collu (50 mm) līdz 12 collu (300 mm), šīs vienības darbojas kā stabila, augstas precizitātes -platforma, kas izstrādāta, lai uzturētu absolūtu struktūras saskaņotību intensīvu ķīmiskās un termiskās apstrādes ciklu laikā.

Konsekventa kinētiskā uzvedība:Katra vienība ir paredzētaradiālā viendabīgums, nodrošinot paredzamu materiāla uzvedību gaistošu ražošanas posmu laikā, piemēram, plazmas kodināšanas un ātrās termiskās atkausēšanas (RTA) laikā. Šī vienveidīgā struktūra samazina procesa novirzi, tieši atbalstot stabilus, atkārtojamus ražošanas rezultātusJaudas IC (IGBT/MOSFET) un RF{0}}ICarhitektūras.

Automatizēta līniju optimizācija:Īpaši izstrādāts lielai{0}} caurlaidspējaiautomatizētas ražošanas līnijas, iekārtai ir optimizēta malu profilēšana un sub{0}}mikronu kopējā biezuma variācija (TTV). Šie ģeometriskie raksturlielumi nodrošina nemanāmu robotizētu apstrādi un vakuuma patronu, atvieglojot integrāciju-un-aizmirstiet modernās lietuves darbplūsmās.

Rūpnieciskās kvalitātes saskaņošana:Materiāls ir izstrādāts tā, lai atbilstu un pārsniegtu globālās rūpnieciskās kvalitātes prasības, un tas saglabā savu mehānisko noturību ārkārtēja vakuuma un augstas -temperatūras spriedzes apstākļos. Tā izcilā saskarnes tīrība padara to ļoti piemērotu jutīgiemMEMS sensori un augsta{0}}blīvuma loģikas komponenti, nodrošinot ilgtermiņa uzticamību{0}}visprasīgākajās elektroniskajās lietojumprogrammās.

Populāri tagi: silīcija vafeļu bloks, Ķīnas silīcija vafeļu bloku ražotāji, piegādātāji, rūpnīca