Silīcija ražošanas substrāts

Silīcija ražošanas substrāts

Šī silīcija ražošanas substrātu sērija ir rūpīgi izstrādāta, lai nodrošinātuspēcīga procesa saderībavisprasīgākajā{0}}liela apjoma ražošanas (HVM) vidēs. Atbalstot visu industriālo spektru no2 collu (50 mm) līdz 12 collu (300 mm), šie substrāti ir konstruēti ar progresīvām kristālu augšanas un malu{0}}profilēšanas tehnoloģijām, lai kalpotu kā augstas precizitātes- pamats sarežģītai ierīču mērogošanai un vairāku-slāņu integrācijai.

Izstrādāts augstas{0}}precizitātes darbplūsmām:Katru substrātu regulē stingras pielaides kopējā biezuma variācijai (TTV), deformācijai un lokam, kasatbalsta augstas{0}}precizitātes ražošanas darbplūsmaspiemēram, uzlabotā fotolitogrāfija un ķīmiskā{0}}mehāniskā planarizācija (CMP). Šī ģeometriskā precizitāte nodrošina, ka kritiskie slāņi saglabā absolūtu izlīdzināšanas precizitāti, samazinot raksta kropļojumus lielā{2}}blīvumā.Power IC un Analogarhitektūrām.

Minimāls apstrādes nodilums: Stabilas mehāniskās īpašības-ieskaitot optimizēto Janga moduli un lūzumu izturību-ievērojamisamazināt apstrādes zudumusliela ātruma{0}}robotu pārsūtīšanas laikā. Ieviešot izcilas virsmas morfoloģijas un malu -integritātes kontroles, substrāts novērš mikro-plaisas un daļiņas, nodrošinot, ka materiāls paliek spriedzes-neitrāls, veicot atkārtotas vakuuma-izspiedes un termiskās{6}}cikliskās darbības.

Optimizēts masveida ražošanai:Substrātsuzticami darbojas masveida ražošanā, nodrošinot partijas{0}}uz-pakešu reproducējamību, kas nepieciešama, lai stabilizētu vafeļu-līmeņa iznākumu (WLY). Stingri ievērojot starptautiskos SEMI standartus attiecībā uz iecirtumu un plakanajiem izmēriem, tas irideāli piemērots automatizētām ražošanas sistēmām, veicinot zemākas kopējās īpašumtiesību izmaksas (TCO) un ātrāku caurlaidspēju globālajām pusvadītāju piegādes ķēdēm.

Populāri tagi: silīcija ražošanas substrāts, Ķīnas silīcija ražošanas substrātu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca