Silīcija vafeles ar zemu-defektu

Silīcija vafeles ar zemu-defektu

Šīs augstākās kvalitātes silīcija vafeles ir konstruētas, nerimstoši koncentrējoties uz kristālisku pilnību, un tās ir rūpīgi izstrādātas, laiir samazinātas kristāla nepilnības un virsmas defekti. Ieviešot uzlabotu izkausēta{1}}silīcija filtrēšanu un precīzi{2}}kontrolētu Čokraļska (Czochralski — CZ) vilkšanu, mēs novēršam tādus izplatītus režģa traucējumus kā kristāla izcelsmes bedres (COP) un lielas dislokācijas kopas (LDC). Šī atomu{4}}līmeņa integritāte ir pamatprasība nākamās paaudzes sub-nanometru mērogošanai, nodrošinot senatnīgu veidni sarežģītām CMOS un analogajām shēmām.

Uzlabota ierīces ražīgums un uzticamība:Punktu defektu un skābekļa samazināšana tiek tieši nogulsnētauzlabo ierīces ražīgumu un uzticamību pusvadītāju ražošanā. Stingri kontrolējot kristāla izcelsmes daļiņas (bez COP{1}}) visā aktīvajā zonā, mūsu vafeles novērš lokālu elektriskā lauka pastiprināšanos, kas ievērojami pastiprinaVārtu oksīda integritāte (GOI)un samazina agrīnas -dzīves kļūmju risku loģikas un atmiņas komponentos.

Minimizēta tumšā strāva un parazītiskais troksnis:Šie zemu{1}defektu substrāti, kas īpaši optimizēti augstas -jutības attēla sensoriem un jaudas IC, samazina nesēju uztveršanas centrus. Tas nodrošina ievērojami mazāku tumšo strāvu un parazītisko troksni, nodrošinot augstas-precizitātes signāla apstrādi un izcilu termisko stabilitāti pat liela ātruma pārslēgšanas vidēs.

Izcila virsmas integritāte uzlabotai litogrāfijai:Atbilstoši visstingrākajiem SEMI standartiem, mūsu vafeles ir īpaši-zemasGaismas punktu defekti (LPD)un sub-angstroma virsmas raupjums ($R_a$). Šī ģeometriskā un ķīmiskā tīrība nodrošina stabilu fokusa-dziļumu- (DOF) un novērš raksta izkropļojumus kritiskās EUV/DUV fotolitogrāfijas laikā, ļaujot konsekventi izgatavot nanometru-mēroga elementus bez defektiem-saistītiem ražas zudumiem.

Populāri tagi: zemu-defektu silīcija vafeles, Ķīna zemu-defektu silīcija plātņu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca