Augsti leģēta silīcija vafele
Mūsu ļoti leģētas silīcija vafeles ir paredzētas lietojumiem, kuriem nepieciešama zema pretestība un uzlabota elektriskā vadītspēja. Ieviešot augstu dopantu elementu, piemēram, bora (P-tipa) vai fosfora (N-tipa) koncentrāciju, šīs vafeles sasniedz ievērojami samazinātu pretestību, padarot tās ideāli piemērotas moderniem elektroniskiem komponentiem, barošanas ierīcēm un augstas veiktspējas shēmām.
- Ātra piegāde
- Kvalitātes nodrošināšana
- 24/7 klientu apkalpošana
Produkta ievads
Produkta pārskats
Mūsu ļoti leģētas silīcija vafeles ir paredzētas lietojumiem, kuriem nepieciešama zema pretestība un uzlabota elektriskā vadītspēja. Ieviešot augstu dopantu elementu, piemēram, bora (P-tipa) vai fosfora (N-tipa) koncentrāciju, šīs vafeles sasniedz ievērojami samazinātu pretestību, padarot tās ideāli piemērotas moderniem elektroniskiem komponentiem, barošanas ierīcēm un augstas veiktspējas shēmām.
Galvenās iezīmes
|
Zema pretestība |
Mūsu ļoti leģētajām plāksnēm ir ārkārtīgi zema pretestība atkarībā no piedevas koncentrācijas, kas parasti svārstās no {{0}},001 omi-cm līdz 0,1 omi-cm P un N tipa lietojumiem. |
|
Dopantu veidi |
• P-tips: bors (pozitīvo lādiņu nesējiem) • N-veida: fosfors, arsēns, antimons (negatīvo lādiņu nesējiem) |
|
Orientācija uz kristāliem |
<100>, <111>, <110>(pieejamas pielāgotas orientācijas) |
|
Pieejamie diametri |
2 collas, 4 collas, 6 collas, 8 collas, 12 collas |
|
Kvalitātes pakāpes |
Prime / Tests / manekens |
|
Augšanas metodes |
CZ (Czochralski)/FZ (Float Zone) |
|
Biezuma opcijas |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, pieejams pielāgots biezums |
|
Virsmas apdare |
P/E (pulēts/iegravēts), P/P (pulēts/pulēts), E/E (izgravēts/iegravēts) |
|
Kopējā biezuma variācija (TTV) |
Standarta < 10 μm; Uzlabots < 5 μm |
|
Priekšgala/Warp |
Standarta < 40 μm; Uzlabots < 20 μm |
Populāri tagi: ļoti leģēta silīcija plāksnīte, Ķīna ļoti leģēta silīcija vafeļu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca
