CZ silīcija vafeles

CZ silīcija vafeles

Produkta apraksts:

Mūsu CZ silīcija vafeles irražots, izmantojot Czochralski metodi, nodrošinot augstas -tīrības pakāpes kristālisku platformu, kas optimizēta visprasīgākajām elektroniskajām vidēm. Ieviešot uzlabotas termiskā lauka simulācijas un kristāla vilkšanas{2}}automatizāciju, šie substrāti piedāvālieliska kristāla viendabīgumspa visu lietni. Šis process ļauj izveidot lielas -diametra plāksnes-, sākot no2 collu līdz 12 collu-kas nodrošina būtisko mehānisko un ķīmisko stabilitāti, kas nepieciešama sub-mikronu ierīces mērogošanai.

Kontrolēta pretestība pusvadītāju lietojumiem:Pateicoties precīzai piedevu izplatīšanas pārvaldībai, šīs vafeles piedāvākontrolēta pretestībaar stingrām radiālajām un gareniskajām pielaidēm. Šī elektriskā viendabīgums nodrošina to, ka tranzistora sliekšņa spriegumi paliek nemainīgi visā plāksnīšu virsmā, padarot tos par ideālu pamatu lielam-blīvumam.Loģika, atmiņa un CMOSarhitektūras.

Iekšējā uztveršana, izmantojot skābekļa kontroli:Viena no CZ procesa galvenajām priekšrocībām ir spēja pārvaldīt intersticiālā skābekļa (Oi) koncentrāciju. Tas atviegloIntrinsic Gettering (IG), kur skābekļa nogulsnes darbojas kā iekšējie slazdi metāliskajiem piemaisījumiem. Šis paš-attīrīšanās mehānisms neļauj piesārņojumam nokļūt aktīvās ierīces zonā, ievērojami uzlabojot integrēto shēmu kopējo uzticamību un veiktspēju.

Izcila virsmas un ģeometriskā precizitāte:Mūsu CZ vafeles ir izstrādātas tā, lai tās atbilstu visstingrākajiem SEMI standartiem, un tām ir sub{0}}mikroniKopējā biezuma variācija (TTV)un ultra-zems virsmas raupjums (Ra). Šī ģeometriskā precizitāte nodrošina stabilu -fokusa-dziļumu (DOF) kritisko fotolitogrāfijas darbību laikā, atbalstot konsekventu sarežģītu daudzslāņu starpsavienojumu un vārtu struktūru izveidi.

Populāri tagi: cz silīcija vafeles, Ķīna cz silīcija vafeles ražotāji, piegādātāji, rūpnīca