Viena kristāla stienis

A: Silīcija kristālus parasti audzē, izmantojot metodi, kas pazīstama kā Czochralski process. Vispirms tīru silīcija materiālu karsē krāsnī, līdz tas izkūst. Pēc tam izkausētajā silīcijā tiek iegremdēts neliels iepriekš izveidots silīcija kristāls, kas pazīstams kā sēkla. Rūpīgi kontrolējot temperatūru un vilkšanas ātrumu, sēkla tiek lēnām pacelta un pagriezta, lai veicinātu vienmērīgu augšanu, veidojot lielu, vienu silīcija kristāla lietni.

A: Silīcija stieņa sēkla ir mazs, iepriekš izveidots silīcija kristāls, kas kalpo kā veidne lielāka silīcija kristāla audzēšanai. Ražojot vienkristāla silīciju, izmantojot Czochralski metodi, šo sēklu kristālu novieto izkausētā silīcija centrā, lēnām velk uz augšu un pagriež. Tas ļauj izkausētajam silīcijam kristalizēties uz tā virsmas un pakāpeniski palielināties, galu galā veidojot pilnīgu silīcija lietni.