Zema-skābekļa satura silīcija lietnis epitaksijai un progresīvai litogrāfijai
Šis zema-skābekļa silīcija lietnis, kas īpaši ražots epitaksijai{0}}gatavām vafeļu platformām, samazina skābekļa nogulsnēšanos, novēršot kristāla spriedzi CVD epitaksiālās augšanas laikā.
- Ātra piegāde
- Kvalitātes nodrošināšana
- 24/7 klientu apkalpošana
Produkta ievads
Silīcija lietnis ar zemu-skābekļa saturu epitaksijai un progresīvai litogrāfijai
Šis zema-skābekļa silīcija lietnis, kas īpaši ražots epitaksijai{0}}gatavām vafeļu platformām, samazina skābekļa nogulsnēšanos, novēršot kristāla spriedzi CVD epitaksiālās augšanas laikā. Kontrolētā skābekļa koncentrācija uzlabo uztveršanas uzvedību, uzlabojot ierīces ražīgumu nanomēroga loģikas mikroshēmām, ASIC paātrinājuma vienībām un AI skaitļošanas procesoriem. Tas nodrošina izcilu stabilitāti augstas-enerģijas plazmas vidēs un termiskās oksidācijas kamerās, atbalstot gan partijas krāsni, gan vienas -vafeles RTP sistēmas. Lieto lieliskā dielektriskā viendabība un vafeļu līdzenums nodrošina precīzāku izlīdzināšanas toleranci progresīvai litogrāfijai, tostarp uz EUV{7}}bāzētiem mezgliem. Ideāli piemērots rūpnīcām, kurām ir ilgtermiņa -migrācija uz apstrādi, kas mazāka par 3 nm.
Populāri tagi: zema-skābekļa satura silīcija lietņi epitaksijai un uzlabotai litogrāfijai, Ķīna zema-skābekļa satura silīcija lietņi epitaksijai un progresīviem litogrāfijas ražotājiem, piegādātājiem, rūpnīcām
